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七十六載砥礪行，盛世華章日月新萬里河山披錦繡，千秋偉業耀古今 鴻遠電子秉承實業報國的初心與使命與時代同頻，與祖國共進  在鴻遠研發室里閃耀的，是創新的星火每一次技術突破，都是對品質的追求生產線上躍動的，是奮斗的脈搏每一次產品打磨，都是對匠心的傳承市場前沿奔走的，是擔當的身影每一次需求響應，都是對承諾的恪守 從制造到智造，從堅守到突破只要是國家所需便是我們心之所向、行之所往！  致敬偉大時代，感恩腳下熱土我們愿傾盡全部智慧與汗水為中華民族偉大復興貢獻力量！ 值此共和國76華誕全體鴻遠人謹以拳拳赤子之心，祝福祖國：九州安泰，繁榮永固國運恒昌，盛世長虹  

9月19日下午，由北京市工商聯、通州區人民政府聯合舉辦的2025北京民營企業百強發布會于北京國際財富中心紫金廳盛大啟幕。此次發布會旨在深入貫徹落實習近平總書記在民營企業座談會上的重要講話精神，助推首都民營經濟高質量發展。全國工商聯、北京市委統戰部、北京市工商聯、通州區政府相關領導，以及業界專家、入圍企業代表齊聚一堂，共同見證這一標志著北京民營經濟高質量發展的重要時刻。會上，備受矚目的“2025北京民營企業百強”、“2025北京民營企業科技創新百強”、“2025北京民營企業文化產業百強”、“2025北京民營企業專精特新百強”榜單，以及“2025北京民營企業優秀投資案例”、“2025北京民營企業社會責任優秀案例”名單正式發布。鴻遠電子憑借在市場表現、技術創新與運營實力上構筑的綜合競爭力，成功榮登“北京民營企業專精特新百強”榜單，并一舉斬獲第四名，成為首都民營經濟高質量發展的典型代表。  公司董事會秘書、財務總監李永強代表公司參加發布會，并上臺領受榮譽牌匾。“北京民營企業專精特新百強”是今年新設立的獎項，以北京市“專精特新”企業作為參評范圍，以企業2024年度經營情況、產業發展定位、從事行業年限、研發創新能力等為核心指標，同時綜合考量企業依法合規經營、誠實守信等方面的表現，根據對核心指標與輔助指標的量化賦值，最終確定入圍企業名單。在此次評選中，鴻遠電子憑借在專業領域的深厚沉淀榮登榜單前列，這份榮譽不僅是對企業過往堅守實業發展、堅持科技創新的高度認可，更堅定了企業深耕主業、追求卓越的信心。展望未來，鴻遠電子將繼續牢記“實業報國”的初心使命，堅定地向“新”而行、向“高”攀登，在推動行業進步、助力首都經濟社會發展的進程中，持續貢獻更多力量。

一、產品簡介硅電容器（Silicon Capacitors）是一種基于半導體制造工藝，融合了MOS工藝與MEMS技術，通過微納米級結構設計制造的電子元件，它突破了傳統MLCC和SLCC的性能邊界，為射頻微波電路、高性能數字IC、精密模擬電路等對電子元器件性能、穩定性和集成度要求極高的應用場景提供了新的電容解決方案。硅電容按內部結構特點可分為2D硅電容器和3D硅電容器。2D硅電容器是一種以高摻雜硅作為電極和基底，通過化學氣相沉積或熱氧化在其表面生成介質層的電容器。3D硅電容器是在2D硅電容器基礎上，為了突破二維平面限制、追求更高容量密度而發展起來的具備特殊三維結構的產品。通過利用半導體微加工技術（特別是深硅刻蝕等MEMS技術）在硅襯底上制造出三維立體結構，從而增加介質層的有效面積來顯著提升單位面積內的電容量。二、產品特點與傳統電容器（如MLCC、鉭電容）相比，硅電容具有以下顯著優點：?  超高精度：介質層是通過CVD或熱生長形成的，厚度和成分非常均勻，電容值由面積和介質厚度決定，因此電容器的容值偏差可以做到非常小（可達±0.1%或更高）。?  高溫度穩定性：硅電容產品采用氮化硅或二氧化硅作為介質材料，在-55℃～150℃的溫度范圍內，溫度系數僅為±100ppm/℃。?  優異的高頻特性：硅電容使用的介質材料和結構特點，使其具有很低的等效串聯電阻（ESR）和等效串聯電感（ESL），其在很寬的頻率范圍內保持容量的穩定性。 ?  高長期可靠性：硅電容采用半導體薄膜工藝，可保證介質致密性與均勻性，電容器長期可靠性、批次一致性優異。?  高容量密度：3D硅電容通過在垂直方向上構建三維結構（如深溝槽等），極大地增加電極的有效面積，單位面積電容量較2D硅電容器可提升10～100倍，實現進一步小型化的同時保留了上述高精度、高穩定性、優異的高頻性能和高穩定性的特點。三、應用領域?  高端通信設備：5G基站、射頻功放、光模塊、網絡設備等中的射頻電路和高速數字處理單元。?  汽車電子：電動汽車和智能駕駛系統，如發動機控制單元、車載信息娛樂系統、高級駕駛輔助系統（ADAS）、激光雷達（LiDAR） 等對溫度和可靠性要求高的場合。?  工業與醫療電子：工業自動化控制系統、醫療設備（特別是植入式醫療設備），這些應用對元件的長期穩定性和可靠性有極致要求。?  航空航天與國防：用于航空電子系統、飛機發動機控制等對溫度穩定性要求較高的電路中。四、產品結構和電極形式公司硅電容分為2D硅電容和3D硅電容，采用在二維平面結構或具有溝槽結構的三維立體結構上沉積介質材料，并覆蓋金電極作為引出端，形成可金絲鍵合的微組裝用硅電容或表面貼裝（SMT）用硅電容。1、硅電容器內部結構 2、2D硅電容產品電極形式 3、3D硅電容產品電極形式五、產品典型容值范圍1、2D硅電容典型容值范圍產品系列尺寸（mm）容量（pF）122334710022047010001500D系列0.254*0.2540.508*0.5080.762*0.7621.016*1.0161.270*1.270G系列0.254*0.7620.508*1.2700.762*2.0321.016*2.0321.270*2.0322、3D硅電容典型容值范圍產品系列尺寸（mm）容量（pF）100022004700100002200047000100000D系列0.254*0.2540.508*0.5080.762*0.7621.016*1.0161.270*1.270H系列0.400*0.2000.600*0.3001.000*0.5001.600*0.8002.000*1.250六、質量保證基于硅電容產品特點，公司結合多年電容器開發、供貨經驗，制定了一整套質量保證方案。包括其介質層的質量評估、產品一致性評估、產品測試分選、壽命評估等。在生產、供貨過程中，主要開展的檢驗項目如下：檢驗階段檢驗項目主要項目產品開發階段基礎性能評估容量、損耗角正切、耐壓等結構分析膜層結構、膜層致密性等可靠性評估溫度沖擊、穩態濕熱、耐焊接熱、靜電放電、高溫壽命生產過程結構分析膜層結構電性能測試分選容量、損耗角正切、耐壓等外觀測試分選表面缺陷，邊緣缺陷等七、產品安裝方式硅電容適配打線和SMT貼片安裝工藝，可與各類半導體器件良好兼容，安裝示意圖如下。八、小結硅電容器并非要取代傳統的MLCC，而是作為一種高性能、高穩定性電容器的補充技術，在特定的高端應用領域，尤其是需要與半導體芯片集成的場景中，發揮著重要作用。公司深耕電容領域數十年，對電容產品有著深入的理解，公司擁有完善的電容制造以及可靠性檢驗設備和資質。公司基于對介電材料的認識和電容器應用的積累，開發了系列化的硅電容產品，為客戶在高頻、高穩定性電路領域應用提供更優的產品解決方案。